DRAMS 4MBX1B DIP

Name: DRAMS 4MBX1B DIP
Brand: TOSHIBA
SKU: M54C1000D
Availability: InStock

Circuito integrado Dynamic RAM de 4MB X 1 Bit, com entradas multiplexadas, com tempo de litura de 70 ns , baixo consumo, com tensão de alimentação de 5V, Caixa DIP 18.

Ref: M54C1000DSKU: M54C1000DModelo: TC514100AP-70

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Referência

M54C1000D

SKU

M54C1000D

Marca

TOSHIBA

Categoria

MEMORIAS DRAM

Especificações Técnicas

Detalhes do Artigo

Designacao Produto: DRAM´S 4 MBX1 BIT
Descricao Longa: Circuito integrado Dynamic RAM de 4MB X 1 Bit, com entradas multiplexadas, com tempo de litura de 70 ns , baixo consumo, com tensão de alimentação de 5V, Caixa DIP 18.
Descricao Resumida: Circuito integrado Dynamic RAM de 4MB X 1 Bit, Vcc 5V, Caixa DIP 18.
Marca: TOSHIBA
Modelo: TC514100AP-70
Família: DRAM
Caixa: DIP 18
Tipo de embalagem: Bulk
Interface Disco: n/a
Quantidade por Embalagem: 6 Pcs
Normas (T): CE